（一）项目概况

建设项目名称：甘肃金川兰新半导体封装新材料（兰州）生产线建设项目（一期）

建设地点：位于甘肃省兰州新区中川街以南，洮河街以北，凤凰山路以东，青城山路以西。

工程建设内容及规模：本项目一期工程建设内容为分立器件引线框架冲制型230万K/年、IC引线框架冲制型1296万K/年、IC引线框架蚀刻型660万K/年、5G散热片2000万片/年、锡阳极材料1000吨/年。

（二）建设单位的名称和联系方式

建设单位：甘肃金川兰新电子科技有限公司

地址：甘肃省兰州新区中川街以南，洮河街以北，凤凰山路以东，青城山路以西

联系人：孙天祥

联系电话：18993513376                

E-mail：stx0932@163.com

（三）环境影响报告书编制单位名称和联系方式

环评单位：诸侯快讯1188

地址：甘肃省兰州市城关区高新S625号路以南5号13号楼20层02、03室

联系人：仲工            

传真：0931-4619784

联系电话：13369435824      

E-mail：332065644@qq.com

（四）公众意见表的网络链接

公众意见表的网络链接为：

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（五）提交公众意见表的方式和途径

本信息发布之后公众可通过信函、传真、电子邮件、或者建设单位提供的其他方式，在规定时间内将填写的公众意见表等提交建设单位，反映与建设项目环境影响有关的意见和建议。

                                                                                         甘肃金川兰新电子科技有限公司

                                                                                                    2022年7月29日